|
|
Modeling of Microwave Semiconductor Structures
Pokorný, Michal ; Mazánek, Miloš (oponent) ; Voves, Jan (oponent) ; Raida, Zbyněk (vedoucí práce)
This thesis deals with the modeling of the microwave semiconductor structures. Increasing working frequencies of the new communication systems increase the demands on active devices and transmission lines, usually implemented in the monolithic integrated form. Active transmission lines with distributed parameters seem to be promising solution as an amplifying element and also as an active feeding of microwave antennas. The first part presents the implementation of the thermodynamic formulation of the drift-diffusion scheme for the numerical simulation of transport processes in semiconductor structures using the commercial software COMSOL Multiphysics. Following section is devoted to the implementation of the Gunn effect in the macroscopic approximation, and the development of the simulation procedure for the analysis of structures using this phenomenon. The last part is devoted to the design and analysis of active transmission lines and their improvement.
|
|
|
2D a 3D analýza polovodičových struktur metodou SIMS
Vařeka, Karel ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Chemická analýza polovodičových struktur pomocí metody SIMS je hlavní náplní této bakalářské práce. Umožňuje hloubkové profilování a vytváření 2D či 3D snímků materiálů. Během zkoumání čipu z polovodiče TIGBT dochází k odprašování heterogenní struktury s různou rychlostí odprašování jednotlivých částí. Ukázalo se jako výhodné provést řez tímto vzorkem pomocí fokusovaného iontového svazku tak, aby vznikl profil umožňující provedení tomografického měření. Tato nově vzniklá plocha zaručuje chemickou analýzu profilu polovodičových struktur bez nutnosti odprašování v dynamickém SIMS módu. Rekonstrukcí jednotlivých dvourozměrných snímků lze sestavit 3D obrazec analyzované části vzorku. Byla provedena i příprava a vyjmutí lamely z čipu TIGBT za účelem analýzy detektorem prošlých elektronů.
|
|
|
2D a 3D analýza polovodičových struktur metodou SIMS
Vařeka, Karel ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Chemická analýza polovodičových struktur pomocí metody SIMS je hlavní náplní této bakalářské práce. Umožňuje hloubkové profilování a vytváření 2D či 3D snímků materiálů. Během zkoumání čipu z polovodiče TIGBT dochází k odprašování heterogenní struktury s různou rychlostí odprašování jednotlivých částí. Ukázalo se jako výhodné provést řez tímto vzorkem pomocí fokusovaného iontového svazku tak, aby vznikl profil umožňující provedení tomografického měření. Tato nově vzniklá plocha zaručuje chemickou analýzu profilu polovodičových struktur bez nutnosti odprašování v dynamickém SIMS módu. Rekonstrukcí jednotlivých dvourozměrných snímků lze sestavit 3D obrazec analyzované části vzorku. Byla provedena i příprava a vyjmutí lamely z čipu TIGBT za účelem analýzy detektorem prošlých elektronů.
|
|
|
Modeling of Microwave Semiconductor Structures
Pokorný, Michal ; Mazánek, Miloš (oponent) ; Voves, Jan (oponent) ; Raida, Zbyněk (vedoucí práce)
This thesis deals with the modeling of the microwave semiconductor structures. Increasing working frequencies of the new communication systems increase the demands on active devices and transmission lines, usually implemented in the monolithic integrated form. Active transmission lines with distributed parameters seem to be promising solution as an amplifying element and also as an active feeding of microwave antennas. The first part presents the implementation of the thermodynamic formulation of the drift-diffusion scheme for the numerical simulation of transport processes in semiconductor structures using the commercial software COMSOL Multiphysics. Following section is devoted to the implementation of the Gunn effect in the macroscopic approximation, and the development of the simulation procedure for the analysis of structures using this phenomenon. The last part is devoted to the design and analysis of active transmission lines and their improvement.
|
|
|
Imaging of dopants under presence of surface ad-layers
Mika, Filip ; Hovorka, Miloš ; Frank, Luděk
Scanning electron microscopy is widely used for imaging of semiconductor structures. Image contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Quantitative relation exists between the image contrast and the dopant concentration. However, further examination has shown the dopant contrast level of low reproducibility and dependent on additional factors like the primary electron dose, varying energy and angular distributions of the SE emission and also presence of ad-layers on the semiconductor surface.
|
host ::
RSS.